特許

J-GLOBAL ID：200903018585748929

半導体装置の製造方法

発明者： 余川 孝士
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-107596
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287110
出願日： 2005年04月04日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】パーティクルの拡散を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、減圧可能な搬送チャンバ110と、減圧可能なプロセスチャンバ120と、前記搬送チャンバ110と前記プロセスチャンバ120との間に配置され、減圧可能な真空室130とを有し、搬送チャンバ110とプロセスチャンバ120との間で基板を搬送するときに、前記搬送チャンバ110から前記真空室130へ、かつ前記プロセスチャンバ120から前記真空室130への気流を生成するように前記搬送チャンバ110、プロセスチャンバ120及び真空室130の圧力を制御する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

減圧可能な第1のチャンバと、 減圧可能な第2のチャンバと、 前記第1のチャンバと前記第2のチャンバとの間に配置され、減圧可能な第3のチャンバと、を有し、 前記第1のチャンバと前記第2のチャンバとの間で基板を搬送するときに、前記第1のチャンバから前記第3のチャンバへ、かつ前記第2のチャンバから前記第3のチャンバへの気流を生成するように前記第1のチャンバ、前記第2のチャンバ及び前記第3のチャンバの圧力を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  B65G 49/00 ,  H01L 21/677

FI (3件)：

H01L21/02 Z ,  B65G49/00 C ,  H01L21/68 A

Fターム (9件)：

5F031CA02 ,  5F031JA47 ,  5F031JA51 ,  5F031MA04 ,  5F031NA09 ,  5F031NA16 ,  5F031NA17 ,  5F031NA20 ,  5F031PA26