特許
J-GLOBAL ID：200903018588782141
半導体装置の製造方法及び処理液の生成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256923
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162917
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 表面の荒れ、及び汚染金属の付着等を発生することなく、pHと酸化還元電位が独立に最適化された処理液を半導体装置の製造に適用する。【解決手段】 陽極に還元性ガス、もしくは陰極に酸化性ガスを添加しながら電気分解を行なうか、ガスを選択的に透過するガス透過性部材を少なくともいずれかの電極に設けるか、あるいは陽イオン交換膜及び陰イオン交換膜を隔てて3つに分割された領域に3つ電極を各々配置して、それぞれ異なる電位を印加して溶液の電気分解を行なう。
請求項（抜粋）：
陽極及び陰極を隔膜を挟んで溶液中に浸漬して配置し、前記陽極近傍の溶液へ還元性ガスを供給する還元ガス供給工程、及び前記陰極近傍の溶液へ酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給工程のうち少なくとも1方のガス供給工程を行なうと共に、該陽極及び陰極間に通電を行い、該溶液を電気分解することにより得られた処理液を用いた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 647
, B08B 3/08
, H01L 21/308
H01L 21/304 647 Z
, B08B 3/08 Z
, H01L 21/308 G
