特許

J-GLOBAL ID：200903018590144160

半導体装置

発明者： 植田 敏明
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315614
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧化を図った半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板に外周部が凹部を持たない形状の一導電型第1素子領域Baを形成すると共に、その外周囲に隣接して枠状他導電型第2素子領域Dを形成し、各素子領域の境界にPN接合Jを形成した半導体装置において、内側の第1素子領域及び外側の第2素子領域をそれぞれ低濃度一導電型不純物及び高濃度他導電型不純物領域Ba、Dとし、その境界に高耐圧性PN接合Jを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に外周部に凹部を持たない形状の一導電型第1素子領域を形成すると共に、その外周囲に隣接して枠状他導電型第2素子領域を形成し、各素子領域の境界にPN接合を形成した半導体装置において、内側の第1素子領域及び外側の第2素子領域をそれぞれ低濃度一導電型不純物及び中、又は高濃度他導電型不純物領域とし、その境界に高耐圧性PN接合を形成したことを特徴とする半導体装置。