特許

J-GLOBAL ID：200903018590643868

半導体基板の製造方法

発明者： 紀伊 健 ,  西畑 秀樹 ,  クレア ゲイノア
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061902
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236458
出願日： 1995年02月24日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 結晶軸<100>0±1°のシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長する製造方法における上述の問題点に鑑み、水素還元反応時のオートドープを低減するとともにパターンディストーションを発生させることなく、1μm/min以上の成長速度が得られる半導体基板の製造方法の提供。【構成】 エピタキシャル成長するに際し、原材料ガスSiHCl<SB>3</SB>の場合、成長温度を1150°C±10°Cに保持し、SiCl<SB>4</SB>の場合、成長温度を1150°C〜1190°Cに保持し、従来よりはるかに高速流かつ層流でキャリアガスを流下させることにより、SiHCl<SB>3</SB>の場合、該成長速度が2.0μm/min以上、さらに高速度で流下させると5.0μm/min以上の高速成膜を可能にし、従来の2倍以上の成長速度で反応することが可能であるため、生産性の向上が図れ、しかもスリップやオートドープの少ない高品質の半導体集積回路用シリコン単結晶基板が得られる。

請求項（抜粋）：

不純物の埋め込み拡散がなされた微細パターンを持つ結晶軸<100>0±1°のシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長するに際し、SiHCl<SB>3</SB>(トリクロロシラン)を原材料ガスとして、処理炉内のガス流速が2m/min以上、あるいはガス置換回数が3回/min以上の高速流かつ層流のキャリアガスを流下させ、反応温度を1150°C±10°Cに保持することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/10 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/20

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 25/10 ,  C30B 29/06 Z ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-305519
  
• 特開平3-022412
  
• 特開昭62-177915
  
• 特開平2-060124