半導体光源及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344958
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176822
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】電界吸収変調器集積光源において、高出力化しようとした場合に変調器部で吸収飽和を引き起こすのを抑え、変調時の消光比劣化や応答劣化を防止する。【構成】変調器部1のバンドギャップをレーザ側から順次若しくは段階的に小さくして、光吸収係数を順次若しくは段階的に大きくすることにより、吸収パワ密度を変調器部1で均一化する。また、前記構造は、2本のSiO2膜ストライプパターンに挾まれた領域に有機金属気相成長法により多重量子井戸構造を有する発光層及び光吸収層を一括形成する工程において、光吸収層形成部のストライプパターン幅を発光層側から順次若しくは段階的に広くすることにより実現される。

請求項（抜粋）：

電界吸収型変調器を集積してなる半導体光源であって、前記変調器は、レーザ光のフォトンエネルギよりも大きなバンドギャップを有すると共に、レーザ側から離隔するにしたがってバンドギャップが順次又は段階的に小さくなる電界吸収型変調器からなることを特徴とする半導体光源。

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