特許

J-GLOBAL ID：200903018596598317

半導体用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置

発明者： 西谷 佳典
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366176
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200349
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】耐半田性に優れるリードフレーム、及び半導体装置を提供すること。【解決手段】ジスルフィド化合物、より好ましくは一般式(1)で示されるジスルフィド化合物を含む表面処理剤によって表面処理されたことを特徴とする半導体用リードフレーム及びそれらを用いた半導体装置。【化1】(式中、R1、R2は炭素数2〜18のアルキル基又はアリール基。R1、R2は同じであっても異なっていてもよい。)

請求項（抜粋）：

ジスルフィド化合物及び有機溶剤を含む表面処理剤によって表面処理されたことを特徴とする半導体用リードフレーム。

IPC (2件)：

H01L23/50 ,  H01L21/56

FI (2件)：

H01L23/50 G ,  H01L21/56 T

Fターム (6件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD14 ,  5F067AA04 ,  5F067DE01