特許

J-GLOBAL ID：200903018598822699

光学的手段を用いた電子回路形成における光反射防止方法及びその装置とその製品

発明者： 小野 光太郎
出願人/特許権者： ワシ興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022350
公開番号（公開出願番号）：特開平9-211842
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【目的】 光学手段を用いてのIC、LSIなどの電子回路形成において、フォトマスクなどの光透過体に反射防止層を設けて照射光の透過率の向上と不要な反射光を減少させる。【構成】 ガラス基板の表面やガラス基板と遮光層の界面に15nm乃至150nmの深さの微細な凹凸面を設けて連続的に屈折率の変化する不均質層を形成する。又、フォトレジスト層の表面に不均質層を形成することで照射光の反射率を低減し、精度のよい結像を可能にする。

請求項（抜粋）：

集積回路を光学的手法により作成する場合、素地表面に構成する薄膜やレジストなどから成る積層面に及び/又は照射源から前記積層面に至る光路内に設けられるマスク、レンズなどの光透過体の少なくとも一つの面に、連続して屈折率を変化せしめうる、15nm乃至150nmの深さの微細な凹凸面をスタンパなどの転写手段を用いて形成し、前記積層面や前記光透過体での照射光や透過光の反射率を低減させる方法。

IPC (3件)：

G03F 1/14 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/14 F ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 574