特許

J-GLOBAL ID：200903018614254892

光起電力装置の製造方法

発明者： 田口 幹朗 ,  高濱 豪
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326391
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136440
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 高い光電変換効率を備える光起電力装置の製造方法を提供する。【構成】 光起電力装置の製造に際して、n型単結晶半導体1の表面に、電力密度が50mW/cm2以下の高周波放電による水素プラズマ処理を施して、その表面を予め清浄化してから、この表面上に真性非晶質半導体2を積層形成する。これより、光起電力装置における界面特性が改善されて、その光電変換効率が向上する。

請求項（抜粋）：

一導電型の結晶系半導体上に、逆導電型もしくは真性の非晶質系半導体が形成されてなる光起電力装置において、前記結晶系半導体の表面に、電力密度が50mW/cm2以下の高周波放電による水素プラズマ処理を行い、この水素プラズマ処理により清浄化された前記結晶系半導体の表面に、非晶質系半導体を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-016272
  
• 特開昭58-137218
  
• 特開昭61-008979