特許
J-GLOBAL ID：200903018617232709

多層膜形成装置及び多層膜形成方法

発明者：
中谷 亮一

中谷 亮一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094338
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298064
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子に用いられる磁気トンネリング現象を示す多層膜の膜形成に要する時間を短縮する。【解決手段】 多層膜を形成する膜形成室11とは別個に多層膜の一部を酸化させる酸化室14を設け、酸化室に独立に酸素を含むガスを導入し、酸化後、酸化室を排気する機構16を設けることにより、膜形成室11で次の層を形成するまでの時間を短縮する。
請求項（抜粋）：
膜形成室と、前記膜形成室内に配置された基板に膜を形成する膜形成機構と、前記膜形成室を排気する真空排気系とを有する多層膜形成装置において、前記膜形成室にバルブを介して接続された酸化室と、前記酸化室に酸素を含むガスを導入するガス導入系と、前記酸化室を排気する真空排気系とを備えることを特徴とする多層膜形成装置。
IPC (4件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/20 ,  C23C 14/56
FI (4件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/20 ,  C23C 14/56 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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