特許

J-GLOBAL ID：200903018617340730

光導波路素子

発明者： 梨本 恵一 ,  中村 滋年 ,  渡部 雅夫 ,  長ケ部 英資 ,  森山 弘朗
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 森岡 正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020287
公開番号（公開出願番号）：特開平11-202271
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 低駆動電圧特性と低伝搬損失特性を同時に解決できる構造を有する光導波路素子を提供すること。【解決手段】 不純物元素が0.001重量%から0.1重量%ドープされた下部電極となるSrTiO3単結晶半導体基板2と、SrTiO3単結晶半導体基板2上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性の光導波路1と、光導波路1上に設けられた導電性薄膜または半導電性薄膜の上部電極7とを備えた光導波路素子による。本発明の光導波路素子は上部電極7と下部電極2との間に電圧を印加することにより、光導波路に入射する光ビームを変調、スイッチング、または偏向することができる。

請求項（抜粋）：

不純物元素が0.001重量%から0.1重量%ドープされた下部電極となるSrTiO3単結晶半導体基板と、前記単結晶半導体基板表面に形成されたエピタキシャルまたは単一配向性の強誘電体薄膜光導波路と、前記光導波路上に形成された導電性薄膜または半導電性薄膜の上部電極とを備えたことを特徴とする光導波路素子。

IPC (3件)：

G02F 1/01 ,  G02F 1/055 505 ,  G02F 1/29

FI (3件)：

G02F 1/01 C ,  G02F 1/055 505 ,  G02F 1/29