特許

J-GLOBAL ID：200903018622419930

半導体薄膜式ガスセンサ

発明者： 田島 雅明
出願人/特許権者： 日本セラミック株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131947
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160326
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体式薄膜ガスセンサにおいて、金属酸化物半導体への下電極の拡散を防ぐと同時に、上電極と下電極の拡散を防ぐ半導体技術を活かした構造となる小型かつ安価で高感度なガスセンサを提供する。【構成】 下電極と金属酸化物半導体の間に、或いは下電極と上電極の間に拡散防止層を形成した半導体式薄膜ガスセンサを構成する。

請求項（抜粋）：

発熱体を有した絶縁基板上に金属酸化物半導体を膜上に形成した半導体式ガスセンサにおいて、貴金属よりなる下電極3と金属酸化物半導体5の間に、Mo,Ta,Ti,Wの窒化物の少なくとも1種類を用いた拡散防止層7を形成することを特徴とする半導体薄膜式ガスセンサ。