特許

J-GLOBAL ID：200903018624145218

電界放射型素子の製造方法

発明者： 服部 敦夫
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056090
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251659
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 大電流を放射することができる電界放射型素子の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上のゲート電極に基板に達する孔を形成する工程と、ゲート電極及び基板上に犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜を異方的にエッチングすることにより、ゲート電極の孔の側壁上に該犠牲膜の一部をサイドスペーサとして残す工程と、基板を覆うように絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に、表面が微細凹凸を有する材料からなる第1のエミッタ電極を形成する工程と、第1のエミッタ電極上に第2のエミッタ電極を形成する工程と、基板並びにその上の絶縁膜及び第1のエミッタ電極の一部を除去することにより、表面が微細凹凸を有する第2のエミッタ電極の先端を露出させる工程とを有する電界放射型素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

(a)基板上にゲート電極を形成する工程と、(b)前記ゲート電極に前記基板に達する孔を形成する工程と、(c)前記ゲート電極及び前記基板上に犠牲膜を形成する工程と、(d)前記犠牲膜を異方的にエッチングすることにより、前記ゲート電極の孔の側壁上に該犠牲膜の一部をサイドスペーサとして残す工程と、(e)前記基板を覆うように絶縁膜を形成する工程と、(f)前記絶縁膜上に、表面が微細凹凸を有する材料からなる第1のエミッタ電極を形成する工程と、(g)前記第1のエミッタ電極上に第2のエミッタ電極を形成する工程と、(h)前記基板並びにその上の絶縁膜及び第1のエミッタ電極の一部を除去することにより、表面が微細凹凸を有する第2のエミッタ電極の先端を露出させる工程とを有する電界放射型素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/304 ,  H01L 29/66

FI (3件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F ,  H01L 29/66