特許

J-GLOBAL ID：200903018627895412

プラズマ発生装置

発明者： 今橋 一成 ,  石井 信雄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-023994
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235393
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 プラズマ生成用の高周波電源を間欠運転することにより、プラズマ中でのガス分子の解離反応を抑制し、エッチングあるいはCVDの工程の特性を良好なものとすることができるプラズマ発生装置を提供すること。【構成】 チャンバ10内にプラズマを発生させ、チャンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズマ発生装置において、チャンバ内の上記被処理体に対向してチャンバ10の外に配置された高周波コイル16,17と、被処理体が載置される載置台に設けられた下部電極13と、高周波コイル及び下部電極に供給する高周波電源を間欠的に供給する電源部22とから構成される。

請求項（抜粋）：

チャンバ内にプラズマを発生させ、チャンバ内に載置された被処理体にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズマ発生装置において、上記チャンバ内の上記被処理体に対向して上記チャンバの外に配置された高周波コイルと、上記被処理体が載置される載置台に設けられた下部電極と、上記高周波コイル及び下部電極に高周波電源を間欠的に供給する電源供給手段とを具備したことを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (8件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01Q 7/00 ,  H05H 1/50

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C