特許

J-GLOBAL ID：200903018632282682

太陽電池の製造方法およびその製造装置

発明者： 南方 量二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295970
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134494
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】高効率の太陽電池を製造する際、表面からの入射光を効率よく内部に取り込む光閉じ込め効果を期待して、半導体基板表面に微細な凹凸構造を形成することが望まれるが、従来の凹凸構造の形成方法では、コストが高く、また、量産性が劣っているという問題があった。【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、エッチング用マスクの形成にインクジェット法を用いていることから、高価な設備を用いること無く、比較的低コストで太陽電池を製造できる。また、インクジェット法により、ピッチが小さいエッチング用マスクを形成できるので、微細な凹凸構造ができ、その結果、光閉じ込め効果が改善されるので、高効率の太陽電池を得ることができる。更に、本発明の太陽電池の製造装置は、インクジェットヘッド、半導体基板支持手段、および半導体基板を移動させる移動手段、半導体基板調整手段等を備えており、量産性に優れている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面に凹凸構造を有する半導体基板を有する太陽電池の製造方法において、 インクジェット法によって、半導体基板表面の所定領域にマスク剤を塗布してエッチング用マスクを形成する工程と、 該半導体基板表面をエッチング処理する工程と を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (7件)：

5F051AA03 ,  5F051CB13 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14