特許

J-GLOBAL ID：200903018635768900

サファイア基板研削研磨方法および装置

発明者： 左 光 大 和
出願人/特許権者： 株式会社岡本工作機械製作所
代理人 (1件)： 蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332120
公開番号（公開出願番号）：特開平10-166259
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】 シリコンよりも硬いサファイア基板の表面を高精度に研磨する。【解決手段】 ターンテーブル1上のサファイア基板2の表面を粒度600番のダイヤモンド砥石4で研削して表面粗さをRa500nm程度にした後、その表面をシリカ砥石5で研削するか、またはシリカ粉を介在させて研磨布で加圧しながら研磨して表面粗さをRa100nm〜50nm程度にし、さらにサファイア基板2の表面をシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤10を使用して、定盤8上の研磨布7に加圧しながら研磨することにより、サファイア基板2の表面粗さを最終的にRa2nm程度にすることができる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板の表面をシリカの砥石で研削する工程を含むサファイア基板研削研磨方法。

IPC (5件)：

B24B 37/00 ,  B24D 3/00 320 ,  B24D 3/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331

FI (6件)：

B24B 37/00 H ,  B24B 37/00 F ,  B24D 3/00 320 A ,  B24D 3/00 320 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 331