特許
J-GLOBAL ID：200903018640782961
多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326887
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136062
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 安価なガラス基板を用いてなる多結晶シリコン薄膜及びその低温形成法を提供する。【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜は、ガラス基板32は金属電極もしくは透明電極が形成されたガラス基板3上に、水素量が5atom%以下のものである。また本発明の形成法は、多結晶シリコン薄膜を400°C以下の温度で形成するものである。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に形成された多結晶シリコン薄膜であって、該薄膜中の水素量が、5atom%以下であることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
引用特許：
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