特許

J-GLOBAL ID：200903018656263409

レーザアニール装置

発明者： 石川 弘美 ,  原田 明憲 ,  藤井 武 ,  岡崎 洋二 ,  永野 和彦 ,  山川 博充
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社 ,  富士写真光機株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-162817
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064064
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】高速且つ高精細なアニールが可能なレーザアニール装置を提供する。【解決手段】照射ヘッドに使用されるDMD50には、主走査方向にマイクロミラーが800個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に600組配列されているが、コントローラにより一部のマイクロミラー列(例えば、800個×100列)だけが駆動されるように制御する。DMD50のデータ処理速度には限界があり、使用する画素数に比例して1ライン当りの変調速度が決定されるので、一部のマイクロミラー列だけを使用することで1ライン当りの変調速度が速くなる。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのGaN系半導体レーザによって、波長350〜450nmのレーザビームを出射する複数の発光点が生じるように構成されたレーザ光源と、 各々制御信号に応じて光変調状態が変化する多数の画素部が基板上に配列され、前記レーザ光源から出射されたレーザビームを変調する空間光変調素子と、 前記基板上に配列された画素部の全個数より少ない個数の複数の画素部の各々を、アニール情報に応じて生成した制御信号によって制御する制御手段と、 各画素部で変調されたレーザビームでアニール面上を走査する走査手段と、 を備えたレーザアニール装置。

IPC (4件)：

H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (4件)：

H01L21/268 J ,  H01L21/268 T ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G

Fターム (26件)：

5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BA11 ,  5F052BA13 ,  5F052BA14 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110NN02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07