特許

J-GLOBAL ID：200903018658416253

表面処理方法及び装置

発明者： 庄田 尚弘 ,  山崎 裕一郎 ,  三好 元介 ,  早坂 伸夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248169
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090231
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、電子ビームを照射しながら試料室に反応性のガスを導入して、試料の表面を処理する装置において、反応性のガスが試料室より電子ビーム源等の装置内の他の部分に流入して起こす腐食、汚染の防止を目的とする。【構成】 電子ビーム源等の装置内の試料室以外の部分に、試料室に導入する反応性のガスと異なる、窒素や不活性ガスに代表される反応性を有しないガスを、反応性のガスよりも高い圧力で導入して、反応性のガスが流入する事を防ぐ。【効果】 本発明では、反応性ガスにより試料室以外の部分に起こる腐食、汚染を防止でき、フィラメントと部品の交換、洗浄等のメンテナンスの期間を著しく延長する事ができる。

請求項（抜粋）：

被処理基体を照射するための電子ビーム源と、前記電子ビーム源と連結されて反応性ガスが導入される前記被処理基体を設置する試料室とを備え、前記反応性ガスと電子ビームにより前記被処理基体を処理する表面処理装置において、前記試料室以外の部分に前記反応性ガスと異なるガスを導入することを特徴とする表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-160018
  
• 特開昭58-060540
  
• 特開昭63-102320