セラミックス電子部品の実装構造

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-283833
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129478
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】半田により電子部品の端子電極を基板の配線層に実装する際に、セラミック焼結体に亀裂が発生したり、温度変化が繰り返し付与された場合に亀裂が成長し電気特性が劣化するという問題があった。【解決手段】セラミック焼結体2の両端に端子電極3を有するセラミック電子部品1の端子電極3を基板4に半田6により実装するに際し、セラミック焼結体2の長さ方向における片側端子電極形成部の長さlのセラミック焼結体2の全長Lに対する比(l/L)が0.18〜0.35、端子電極3の半田6との接続部分において端子電極3の半田との接続部分の高さhのセラミック焼結体2の厚みHに対する比(h/H)が0.7以下となるように実装し、望ましくは、セラミック焼結体2の端子電極3が形成される端面の少なくとも角部7を曲面により形成する。

請求項（抜粋）：

セラミック焼結体の両端に端子電極を有するセラミック電子部品の前記端子電極を所定基板の配線層に半田付けにより実装した構造において、前記セラミック焼結体の長さ方向における片側端子電極形成部の長さlの前記セラミック焼結体の全長Lに対する比(l/L)が0.18〜0.35であり、且つ前記端子電極の半田との接続部分の高さhの前記セラミック焼結体の厚みHに対する比(h/H)が0.7以下であることを特徴とするセラミック電子部品の実装構造。

IPC (3件)：

H01G 4/12 352 , H01G 4/12 346 , H01G 2/06

FI (3件)：

H01G 4/12 352 , H01G 4/12 346 , H01G 1/035 C

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