特許
J-GLOBAL ID：200903018666971983
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071404
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269358
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 通常の大容量DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)は、メモリセルの読み出し信号電圧が小さいために動作が不安定になりやすい。メモリセルに利得(ゲイン)をもたせて信号電圧を大きくしようとすると今度はメモリセル面積が大きくなる。したがって動作が安定で面積の小さいRAM動作の可能なメモリセルが望まれる。【解決手段】 記憶情報を読み出すMOSトランジスタ2,3,4,5、記憶情報を書き込むトランジスタ8,11b、記憶ノードの電圧を制御するキャパシタ11aを立体構造にしてメモリセルとする。
請求項（抜粋）：
情報に対応する情報電圧をそのゲートに保持するMOSトランジスタ、上記情報電圧を与えるための書き込みトランジスタ、上記ゲートの電圧を制御するキャパシタを備えたメモリセルを有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
5F083AD69
, 5F083EP02
, 5F083EP22
, 5F083EP30
, 5F083EP42
, 5F083GA10
, 5F083HA02
, 5F083HA06
, 5F083KA05
, 5F083NA01
, 5F083PR34
, 5F083PR36
, 5F083PR37
