不揮発性メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：重野剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056109
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246408
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】疲労特性が良好で低消費電力のMOSFET型強誘電体不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 MOSFETの絶縁膜部分に強誘電体膜8が形成された不揮発性メモリ。この強誘電体は、Sr<SB>X</SB> Bi<SB>1-X</SB> )Bi<SB>2</SB> (Ta<SB>Y</SB> Nb<SB>1-Y</SB> )<SB>2</SB> O<SB>Z</SB> (0.4≦X<1,0≦Y≦1,Zは各金属元素に付随する酸素原子の数)である。【効果】 0.4≦X<1とすることで、残留分極が大きく、膜疲労の少ない強誘電体膜が提供される。残留分極が大きく高集積化に適し、書き換え回数に制限がなく、疲労特性が良好な強誘電体を有する不揮発性メモリを得ることができる。

請求項（抜粋）：

MOSFETの絶縁膜部分に強誘電体が形成され、該強誘電体を自発分極させることによりデータを記憶する1トランジスタータイプの不揮発性メモリであって、前記強誘電体が、(Sr<SB>X</SB> Bi<SB>1-X</SB> )Bi<SB>2</SB> (Ta<SB>Y</SB> Nb<SB>1-Y</SB> )<SB>2</SB> O<SB>Z</SB> (ただし、0.4≦X<1,0≦Y≦1で、Zは各金属元素に付随する酸素原子の数の合計を示す。)であることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , H01L 27/10 651

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