特許

J-GLOBAL ID：200903018668943316

絶縁膜の形成方法

発明者： 武石 俊作 ,  工藤 寛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029137
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222560
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜の形成方法に関し、低周波電力を印加することなく、経時的に安定した特性を有する低誘電率のPCVD-SiOF膜を得る。【構成】 テトラエチルオルソシリケート(TEOS)、酸素、及び、C2 F6を原料ガスとして用い、テトラエチルオルソシリケートガスに対する酸素ガスの体積流量比を20倍乃至40倍にして、SiOF膜をPCVD法によって成膜する。

請求項（抜粋）：

プラズマ化学気相成長法を用いた絶縁膜の形成方法において、前記絶縁膜を形成する原料ガスとして、テトラエチルオルソシリケート、酸素、及び、C2 F6 を用いると共に、テトラエチルオルソシリケートガスに対する酸素ガスの体積流量比を20倍乃至40倍にしたことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/90 K