特許

J-GLOBAL ID：200903018670300481

マスク蒸着方法

発明者： 中西 輝 ,  柄沢 一明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-035072
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225918
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】蒸着によりマスクを介して被成膜基板上に選択的に成膜するマスク蒸着方法に関し、マスクの位置合わせが容易で、かつ無駄な材料や余計な手間がかからないマスク蒸着方法を提供する。【構成】成膜部22と位置出し用の2つ以上の突起23を有する被成膜基板21と、成膜部22に対応する位置に第1の開口26aが形成され、突起23に対応する位置に第2の開口26bが形成されたマスク26とを第2の開口26bに突起23が挿入されるようにして重ね、蒸着により第1の開口26aを通して成膜部22に導電膜或いは絶縁膜28を成膜する。

請求項（抜粋）：

成膜部と位置出し用の2つ以上の突起を有する被成膜基板と、前記成膜部に対応する位置に第1の開口が形成され、前記突起に対応する位置に第2の開口が形成されたマスクとを前記突起が前記第2の開口に挿入されるようにして重ね、蒸着により前記第1の開口を通して前記成膜部に成膜するマスク蒸着方法。

IPC (4件)：

C23C 14/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/321

FI (5件)：

C23C 14/04 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/285 M ,  H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/92 621 Z