特許
J-GLOBAL ID：200903018672907677
面発光半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348101
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210908
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 発振横モードの制御が可能な面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 面発光半導体レーザ素子は、上部反射鏡層構造(5)と下部反射鏡層構造(2)との間に発光層(4)を配置した半導体材料の層構造を基板1の上に形成したものであり、発光層(4)の近傍には電流注入経路(3e)が形成され、上部反射鏡層構造(5)の上面には平面視円環状の上部電極(7a)が形成され、上部電極(7a)の外側は誘電体膜(8)及び金属膜(9)で被覆されている。金属膜(9)は上部電極(7a)に接触した状態で形成され、上部電極(7a)の内側がレーザ光の出射窓になっている。出射窓の周縁部分(6c)が金属膜(9)で被覆されて出射窓(6A)の口径が金属膜(9)により規定され、これによりレーザ光の発振横モードが制御される。出射窓(6A)の口径(D0)は電流注入経路(3e)の口径(D1)より小さく、電流注入経路の口径(D1)は10μmより大きくなっている。
請求項（抜粋）：
基板(1)上に形成した上部反射鏡層構造(5)と下部反射鏡層構造(2)と両者間に配置される活性層(4)とを含む半導体材料の層構造の前記上部反射鏡層構造(5)の上面に上部電極(7a)及びレーザ光出射窓(6A)を設けた面発光半導体レーザ素子において、前記活性層(4)の近傍に口径(D1)が10μmよりも大きい電流注入経路(3e)を形成したことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/183
, H01S 5/042 610
H01S 5/183
, H01S 5/042 610
