特許

J-GLOBAL ID：200903018679214502

スピンオングラス膜の形成方法

発明者： 岸本 光司 ,  今岡 功
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  アプライドマテリアルズジャパン株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042557
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213383
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 低温プロセスにより、高膜質のSOG膜を得る。【構成】 シリコン基板101上に酸化膜102を形成しその上にAl配線103を形成する(a)。全面にプラズマ酸化膜104を形成する(b)。スピン塗布法により、無機SOG膜105を形成し、低温(300°C)にて焼成する(c)。オゾン含有酸素と水とヘリウムを含むプラズマ106に曝して、無機SOG膜の膜質を改善する(d)。(c)図の工程と(d)図の工程を複数回繰り返すことにより、改質した厚膜無機SOG膜108を形成する(e)。

請求項（抜粋）：

(1)スピン塗布法を用いて、半導体基板上に形成された絶縁膜上にスピンオングラス膜を形成する工程と、(2)低温にて前記スピンオングラス膜を焼成する工程と、(3)酸素、オゾン、水およびヘリウムを含むプラズマガスに曝しながら熱処理を行って前記スピンオングラス膜の膜質を改善する工程と、を含むことを特徴とするスピンオングラス膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-239939