特許

J-GLOBAL ID：200903018679529198

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 竹内 博明 ,  ▲かど▼野 勝 ,  奥田 徹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240627
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064778
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 成膜、加工および表面処理等のプラズマ処理において、プラズマ処理の高速化、プラズマ処理面の高品質化およびプラズマ処理の均一化という3つの要求を同時に満たす。【解決手段】 第1電極2の少なくとも一部と第2電極3の一部との対向部である第1空間SCにおいて小サイズのプラズマPを発生させる。そのプラズマPに対して第2電極3とその上に搭載された基板50を移動させて基板全面に均一なプラズマ処理を行う。第2電極3および基板50と接触せずに、第1電極2および、第2電極3または基板50と共に主ガス流路FRを構成するカバー体23を設ける。このカバー体23の連通導入口26から第1空間SCを通ってカバー体23の連通排気口27に向かうプラズマ処理用ガスの主ガス流路FRの流線に急激な変化が加わらないように、第1電極2、第2電極3およびカバー体23を配置して、プラズマ空間Pに大流量のプラズマ処理用ガスを安定して供給し、処理後のガスを高速に排気する。

請求項（抜粋）：

第1ガス導入口と第1ガス排気口とを有するチャンバ内に、第1電極および基板を搭載する第2電極が配置され、該第1電極の少なくとも一部と、該第2電極の一部とが、第1空間を隔てて、かつ、該基板のみを介して対向配置され、該第1ガス導入口から該第1空間にプラズマ処理用ガスを導入すると共に、該第1電極と該第2電極との間に高周波電圧を印加して、該第1空間の少なくとも一部でプラズマを発生させ、さらに、基板を搭載した該第2電極を移動させることによって、該基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、該第1ガス導入口と連通する連通導入口と、該第1ガス排気口と連通する連通排気口と、該第1空間において開口する第1開口部と、該第1開口部の近傍において該第2電極または該基板と第2空間を隔てて対向する第2電極対向部とを有するカバー体を備え、該カバー体は、該第2電極および該基板と接触せずに、該第1電極、および該第2電極または該基板と共に、該連通導入口から該第1空間を通って該連通排気口に向かう該プラズマ処理用ガスの主ガス流路を構成し、該主ガス流路を流れる該プラズマ処理用ガスの流線に急激な変化が加わらないように、該第1電極、該第2電極および該カバー体が配置されているプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

Fターム (44件)：

4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030GA04 ,  4K030JA09 ,  4K030KA12 ,  4K030KA15 ,  4K030KA16 ,  4K030LA16 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BB28 ,  5F004BC01 ,  5F004BC02 ,  5F004CA02 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AE25 ,  5F045BB01 ,  5F045BB09 ,  5F045DP02 ,  5F045DP04 ,  5F045DP22 ,  5F045DP25 ,  5F045EB02 ,  5F045EB10 ,  5F045EC01 ,  5F045EE01 ,  5F045EF20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH13 ,  5F045EH15