半導体素子の実装方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257448
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084013
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】半導体ベアチップの電極パッドの表面に発生する酸化被膜を除去すると共に、基板側に形成したバンプとチップとを接合する半導体素子の実装方法を提供する。【解決手段】基板(1)上に設けた回路パターンの所定の位置に接続用バンプ(2)を形成し、半導体素子(3)と前記接続用バンプ(2)とを接合させる半導体素子の実装方法において、前記電極パッド(3a)の表面に発生した酸化被膜を還元して除去する還元雰囲気にさらした後、前記電極パッド(3a)と前記接続用バンプ(2)とを接合させる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けた回路パターンの所定の位置に接続用バンプを形成し、半導体素子の電極パッドと前記接続用バンプとを接合させる半導体素子の実装方法において、前記電極パッドの表面に発生した酸化被膜を還元して除去する還元雰囲気にさらした後、前記電極パッドと前記接続用バンプとを接合させることを特徴とした半導体素子の実装方法。

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