光変調器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231213
公開番号（公開出願番号）：特開平10-073790
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】素子特性の向上とコスト削減を両立して実現できる光変調器を提供する。【解決手段】光変調器は、第1導電型半導体基板10上に、第1導電型クラッド層(n-InPクラッド層)20、光吸収層(non-doped InGaAsP)30、第2導電型クラッド層(p-InPクラッド層)40、オーミックコンタクト層(p+-InGaAs)50を積層し、かつ、メサ状にエッチングされたストライプによって光導波路60が形成されたP-i-N構造を有し、光導波路60の第1の端面を劈開若しくはコーティングを施さない端面とし、第2の端面にSiOxとΑuによる全反射膜100を形成し、さらに第1導電型半導体基板10の下側には第1導電型に対応する第1電極80、第1導電型半導体基板10の上部には第2導電型に対応する第2電極90を設けて、上記P-i-Ν構造に電気的バイアス印加が可能なように構成する。

請求項（抜粋）：

P-i-N構造を内包する半導体導波路型光変調器であって、導波路の第1の端面を劈開若しくはコーティングを施さない端面とし、第2の端面にパワー反射率90%以上の反射膜を施し、前記P-i-Ν構造に電気的バイアス印加を行い得るように構成したことを特徴とする光変調器。

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