特許

J-GLOBAL ID：200903018690741905

半導体ウェハを薄くする方法

発明者： メリッサ・イ-・グルペン・シュマンスキー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343287
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224095
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハ11を薄くする方法を提供する。【構成】 支持膜15が半導体ウェハ11に装着される。この支持膜15は薄化工程において半導体を支持するのみならず、半導体ウェハ11の正面12を保護する。支持膜15を半導体ウェハ11に装着した後、半導体ウェハの背面13は2段階工程でエッチングされる。第1に、背面13は機械的切削され、次に化学的エッチングが施される。メタル膜18を背面13にスパッタリングしてもよい。支持膜15を有する半導体ウェハ11はダイシング工程のためにテープ・フレーム20に配置され、支持膜15は半導体ウェハ11の正面12から除去される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを薄くする方法であって:第1主面(12)および第2主面(13)を有する半導体ウェハ(11)を設ける段階;摂氏約200度までの温度に耐えられ、第1主面(16)および第2主面(17)を有する支持膜(15)を設ける段階であって、前記第1主面(16)は、90度の引張角度で25ミリメートルの支持膜幅当たり約20グラム以下の接着力を有する段階;前記支持膜(15)の前記第1主面(16)と、前記半導体ウェハ(11)の前記第1主面(12)とを接着する段階;前記半導体ウェハ(11)から所望の厚さを除去する段階であって、この所望の厚さは前記半導体ウェハの前記第2主面(13)を有する側から除去される段階;および前記半導体ウェハ(11)の前記第1主面(12)から前記支持膜(15)の前記第1主面(16)を分離する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 21/306