特許

J-GLOBAL ID：200903018690742839

多価イオンを利用する半導体製造方法

発明者： 百田 佐多生 ,  野尻 洋一 ,  宮本 岩男 ,  谷口 淳 ,  森田 昇 ,  川堰 宣隆
出願人/特許権者： 学校法人高知工科大学 ,  学校法人東京理科大学 ,  国立大学法人富山大学
代理人 (1件)： 清原 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-054751
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245052
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】 半導体を製造するリソグラフィ工程での露光照射工程に於ける露光に多価イオンビームを利用することによって、極めて迅速なエッチング速度を得ることができる多価イオンを利用する半導体製造方法の提供。【解決手段】 半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、 前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする多価イオンを利用する半導体製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/306 T

Fターム (9件)：

5F043AA02 ,  5F043AA29 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043AA37 ,  5F043BB00 ,  5F043CC01 ,  5F043DD17 ,  5F043GG02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-066398   出願人：川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
• 表面処理方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020870   出願人：株式会社日立製作所