特許
J-GLOBAL ID：200903018698232384
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339565
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161703
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 バイアスECRプラズマCVD法で、半導体装置に与える損傷を抑え、優れた段差被覆形状を有する信頼性の高い絶縁膜を制御性よく形成する。【構成】 先ず、成膜原料ガスとアルゴンガスを導入してバイアスECRプラズマCVD工程を所定の時間行ない、(A)のように金属配線2上に多少オーバーハング形状を有するシリコン酸化膜3を形成する。次に、成膜原料ガスの導入を中止し、スパッタエッチング工程を所定時間行ない、シリコン酸化膜3のオーバーハング部を優先的にエッチングして(B)に示されるような形状とする。その後さらにバイアスECRプラズマCVD工程とスパッタエッチングを順次繰り返して、最終的に(H)に示されるように、金属配線2,2間がボイドなく埋め込まれ、平坦化も行なわれた優れた段差被覆形状を有する絶縁膜3を形成する。
請求項（抜粋）：
基板に高周波バイアスを印加できるECRプラズマCVD法により基板上に絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、絶縁膜を形成する前記工程では、基板に低出力の高周波バイアスを印加しつつ、成膜原料となるガスと、イオン化して陽イオンとなる元素を含むガスとを同時に導入し、成膜と陽イオンによるスパッタエッチングとを同時に行なわせる第1の工程と、基板に低出力の高周波バイアスを印加しつつ、成膜原料となるガスを導入せず、イオン化して陽イオンとなる元素を含むガスのみを導入して陽イオンによるスパッタエッチングのみを行なわせる第2の工程とを繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/768
H01L 21/31 C
, H01L 21/90 K
