特許

J-GLOBAL ID：200903018699329950

被処理物用被膜焼き付け処理装置

発明者： 佐合 宏仁 ,  佐保田 勉 ,  水木 秀行 ,  斉藤 猛
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352572
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177118
出願日： 1992年12月10日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 低酸素濃度の維持及び焼き付け温度安定化により、被膜面に亀裂等のない優れた被処理物、例えば半導体ウェハーを得ることのできる焼き付け処理装置を提供する。【構成】 半導体ウェハーWを積層してストックするためのカセットケース1、この半導体ウェハーWを1枚ずつ冷却するためのクーリングプレート2、半導体ウェハーW上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー18を備えた塗布装置3、低酸素濃度下で半導体ウェハーWを焼き付け処理することのできる外気と遮断された金属隔壁内に納められたホットプレート4、及びSiO2被膜の形成された半導体ウェハーWを積層してストックするためのカセットケース5等の装置を搬送ライン上に一体化した。

請求項（抜粋）：

被処理物上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー、及びこのケイ素化合物を焼き付け処理してSiO2被膜とするための複数のホットプレートを備えた被処理物用被膜焼き付け処理装置において、前記各ホットプレート上部に不活性ガスを散布するための、被処理物に対する表面積が被処理物よりも大きい、スパージングエレメントを配置したことを特徴とする被処理物用被膜焼き付け処理装置。