特許

J-GLOBAL ID：200903018701519533

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 牧原 浩泰 ,  香田 憲次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-208073
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060679
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 バイト列単位で消去電圧を印加することができる高集積化に的した不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリセルアレイ201には、所定数のメモリセルを含むバイト列10が複数個配列されている。トランジスタ1は各バイト列10のソース線30とソース電位発生回路203の間に接続され、導通と非導通の状態に制御される。ソース電位発生回路203は消去電圧を発生し、トランジスタ1が導通の状態にあるときは、そのトランジスタ1が接続されたソース線30に消去電圧を印加し、トランジスタ1が非導通の状態にあるときは、トランジスタ1が接続されたソース線30に消去電圧を印加しない。

請求項（抜粋）：

バイト単位にデータ消去可能であり、電気的に消去および書き込み可能な不揮発性半導体記憶装置であって、所定数のメモリセルを含むメモリブロックが複数個配列されたメモリアレイと、前記メモリブロックの各々に接続され、いずれかの前記メモリブロックを選択するために導通と非導通の状態を有するメモリブロック選択手段と、消去電圧を発生し、かつ導通の状態にある前記メモリブロック選択手段が接続された前記メモリブロックには前記消去電圧を印加し、非導通の状態にある前記メモリブロック選択手段が接続された前記メモリブロックには前記消去電圧を印加しないように前記メモリブロック選択手段に接続された消去電圧発生手段とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。