特許

J-GLOBAL ID：200903018702725277

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 松本 信一 ,  野口 悦男 ,  東盛 裕一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167097
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013888
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 高効率かつ高出力の動作が可能な半絶縁性埋め込み構造の半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【構成】 n-InP基板10上にn-InPバッファ層2,活性層1およびp-InPクラッド層3を含むメサストライプを配置し、クラッド層3の厚みを薄くして、メサストライプの高さを低くする。このメサストライプのうち、少なくとも活性層1を覆う高さまでメサストライプの上方は除いてメサ保護層4を設け、このメサ保護層4の上に半絶縁性FeドープInP電流阻止層5を設ける。メサストライプとメサ保護層4との接合面積が小さくなるので、電流リーク経路が狭められる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する(100)半導体基板と、該基板上に配置され、第1の導電型を有するバッファ層、活性層、および第2の導電型を有するクラッド層を少なくとも含み、メサストライプ状に形成されたメサストライプと、該メサストライプの両側面に配置され、FeをドーピングしたInP半導体からなる半絶縁性高抵抗層とを有する半導体発光装置において、前記クラッド層と接する前記半絶縁性高抵抗層の境界の一部分が、(111)面からなる結晶面で構成されており、前記半導体基板と前記半絶縁性高抵抗層との間、および前記活性層と前記半絶縁性高抵抗層との間に、それぞれ、両層を相互に分離する、第2の導電型を有する半導体層からなるメサ保護層を配設し、および前記半絶縁性高抵抗層の(111)面とクラッド層との間には、前記メサ保護層が形成されないようにしたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/19 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-156381
  
• 特開昭61-216495