特許

J-GLOBAL ID：200903018704707365

光学結晶基板もしくはその基板上の薄膜にリッジ型を作製する方法

発明者： 神山 達也 ,  王 東冬
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 小川 順三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270770
公開番号（公開出願番号）：特開平6-167624
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 パターン精度が高く、伝搬損失が低いリッジ型の導波路の作製技術を開発すること。【構成】 光学単結晶基板もしくはその基板上に形成した薄膜上に、フォトレジストを塗布してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、チャンバー内において不活性ガスプラズマによるドライエッチングを行うことによりリッジ型を作製するに当たり、このドライエッチングの処理を、上記チャンバー内に不活性ガス流し込む前の該チャンバー内の圧力を10-2Pa未満とし、一方、そのチャンバー内に不活性ガスを流した後の, このチャンバー内の圧力を7×10-2Pa以上として行う。

請求項（抜粋）：

光学単結晶基板もしくはその基板上に形成した薄膜上にフォトレジストを塗布し、紫外線による露光および現像によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、チャンバー内において不活性ガスプラズマによるドライエッチングを行うことによりリッジ型を作製する方法において、このドライエッチングの処理を、上記チャンバー内に不活性ガスを流し込む前の該チャンバー内圧力を10-2Pa未満とし、また、このチャンバー内に不活性ガスを流した後の、該チャンバー内圧力を7×10-2Pa以上として、行うことを特徴とする光学結晶基板もしくはその基板上の薄膜にリッジ型を作製する方法。