特許

J-GLOBAL ID：200903018706449266

露光用マスクの製造方法及び製造装置

発明者： 川平 博一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325863
公開番号（公開出願番号）：特開平7-152147
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 透明基板上にマスク膜を作成し、このマスク膜を選択エッチングすることによりマスクパターンを形成するようにした露光用マスクの製造方法及び製造装置において、そのマスクの使用される光露光装置及びペリクル保護膜等のもたらす光学収差、及び光学特性を補正してマスクパターンを転写した際の線幅精度を向上させる技術を提供する。【構成】 透明基板上にマスク膜を作成し、このマスク膜を選択エッチングすることにより上記マスク膜からなるマスクパターンを形成する際、レジストパターン形成I後の遮光膜エッチング工程に至る工程で、露光用マスクの使用条件に応じて該露光用マスクにより被露光材上に設計された転写パターンが得られるように補正がなされたマスクパターンがマスク上に形成される条件のマスク加工プロセスパラメータを選択IIする。

請求項（抜粋）：

透明基板上にマスク膜を作成し、このマスク膜を選択エッチングすることにより上記マスク膜からなるマスクパターンを形成する露光用マスクの製造方法において、レジストパターン形成後の遮光膜エッチング工程に至る工程では、上記露光用マスクの使用条件に応じて該露光用マスクにより被露光材上に設計された転写パターンが得られるように補正がなされたマスクパターンがマスク上に形成される条件のマスク加工プロセスパラメータを選択することを特徴とした露光用マスクの製造方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/306 J