特許
J-GLOBAL ID：200903018711895401
単原子堆積法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213762
公開番号（公開出願番号）：特開平5-051300
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：
【要約】【目的】 固体表面に原子を一つづつ人為的に堆積する結晶成長を可能とする。【構成】 被堆積表面を不活性層で被い、所要部位の不活性構成原子を探針による電子励起によって脱離させ、次いでその脱離により露出した被堆積表面に所要の原子を堆積する。
請求項（抜粋）：
被堆積表面を不活性層で被い、所要部位の不活性層構成原子を探針による電子励起によって脱離させ、次いでその脱離により露出した被堆積表面に所要の原子を堆積することを特徴とする単原子堆積法。
IPC (5件)：
C30B 29/68
, C30B 25/02
, C30B 30/02
, H01L 21/20
, H01L 21/285
