特許

J-GLOBAL ID：200903018715670285

CVD装置の排気ガス処理方法及び装置

発明者： 甲斐 真
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354054
公開番号（公開出願番号）：特開平11-172440
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】 CVD装置の排気ガスに混入させる希釈ガスの量を最適化することにより、効率の良い排気ガス処理が行えるようにする。【解決手段】 半導体製造時に反応室内から異種の排気ガスを交互に排出するCVD装置1と、異種の排気ガスの一方の排気ガスを処理するための第1排気ガス処理装置8aと、他方の排気ガスを処理するための第2排気ガス処理装置8bと、CVD装置1からの排気ガスを第1排気ガス処理装置8a及び第2排気ガス処理装置8bへと導く配管2、5、7a、7bと、排気ガスに対して窒素などの希釈ガスを混入する手段10a、10bと、排気ガスの状態に合わせて希釈ガスの混入量の制御を行う排気ガスコントローラー3とを備える。

請求項（抜粋）：

CVD装置の反応室内から交互に排出される異種の排気ガスに対して窒素などの希釈ガスを混入しつつ、排気ガス処理装置で処理する方法であって、前記排気ガスの状態に合わせて前記希釈ガスの混入量を制御することを特徴とする、CVD装置の排気ガス処理方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/44 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B