化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331723
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160622
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【構成】下記一般式(1)で示される部分的に水酸基が保護されたポリヒドロキシスチレンを溶解促進剤として含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは、酸不安定基を示し、p/(p+q)は0.1以下で、重量平均分子量は10,000未満である。) 【効果】本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、例えば遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性に優れた微細加工技術に適した高解像性を有するもので、実用性の高いものである。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される部分的に水酸基が保護されたポリヒドロキシスチレンを溶解促進剤として含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは、加水分解性基を示し、p/(p+q)は0.1以下で、重量平均分子量は10,000未満である。)

IPC (5件)：

G03F 7/039 501 , C08F212/14 MJY , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-217251
特開平4-134345
レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-097140 出願人：日本ゼオン株式会社

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