特許

J-GLOBAL ID：200903018726602567

光学活性金属錯体、光学活性ジホスフィン及び光学活性ジホスフィンオキシドの製造方法

発明者： 山本 經二 ,  宮澤 眞宏 ,  百瀬 悟 ,  舟橋 正和
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211363
公開番号（公開出願番号）：特開平5-306292
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 二座配位能を有する光学活性ジホスフィンを配位子とする光学活性金属錯体、配位子である光学活性ジホスフィン及びその合成中間体となる光学活性ジホスフィンオキシドの新規な製造方法を提供する。【構成】 ビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有し、その2,5-位に2つのホスフィノイルメチル基をendo,endo-に置換した構造を有するジホスフィンオキシドのラセミ体を、光学分割剤を用いて光学分割することにより、光学活性なジホスフィンオキシドが簡便に且つ効率よく製造できる。この光学活性ジホスフィンオキシドを還元することにより、C2 対称性を有する高度に制御された立体構造を持つ二座配位子である光学活性ジホスフィンを製造することができる。さらにこの光学活性ジホスフィンを配位子として用いることにより、多くの有用な不斉触媒反応に応用できる光学活性金属錯体を製造することができる。

請求項（抜粋）：

式(1)又は式(2)〔化1〕【化1】(式中R1、R2、R3及びR4は炭素数1〜8個のアルキル基、炭素数6〜18個のアリ-ル基及び炭素数7〜18個のアラルキル基の中から選ばれる少なくとも一種の基であり、それらは互いに同一であっても又は、異なっていてもよく、また、R1とR2及び/又はR3とR4はリン原子以外の結合によってもつながっていても良いアルキル基、アリ-ル基又はアラルキル基を示す)で表されるビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有するジホスフィンオキシドのラセミ体を、光学分割剤を用いて光学分割して式(1)又は式(2)で表されるビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する光学活性ジホスフィンオキシドとし、これを還元することにより得られる式(3)又は式(4)[化2]【化2】(式中R1、R2、R3及びR4は炭素数1〜8個のアルキル基、炭素数6〜18個のアリ-ル基及び炭素数7〜18個のアラルキル基の中から選ばれる少なくとも一種の基であり、それらは互いに同一であっても又は、異なっていてもよく、また、R1とR2及び/又はR3とR4はリン原子以外の結合によってもつながっていても良いアルキル基、アリ-ル基又はアラルキル基を示す)で表されるビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する光学活性ジホスフィンを配位子として用いることからなる光学活性金属錯体の製造方法。

IPC (2件)：

C07F 9/50 ,  C07B 57/00 390