電界効果型半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211738
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055863
出願日： 1994年08月15日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 T型或いはY型のゲート電極を備える電界効果型半導体装置において、ゲート電極の機械的強度を高めて半導体装置の信頼性を改善する。【構成】半導体基板1〜4上に絶縁膜5を形成し、かつこの絶縁膜5に開口側面5bが上向きのテーパ状をした開口部5aを形成する。次いで、絶縁膜5をマスクにして開口部5aに臨む箇所の半導体基板1〜4にリセス部を形成する。次に、絶縁膜5上から第1の導電膜8を形成し、この第1の導電膜8の一部を開口部5aを通してリセス部7上に形成し、かつこの第1の導電膜8を所要の厚さにまでエッチングしてテーパ状側面5a上の第1の導電膜8aを除去し、更にその上に第2の導電膜9を形成し、パターニングしてゲート電極10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成し、かつこの絶縁膜に開口側面が上向きのテーパ状をした開口部を形成する工程と、前記絶縁膜をマスクにして前記開口部に臨む箇所の前記半導体基板にリセス部を形成する工程と、前記絶縁膜上から導電膜を形成し、この導電膜の一部を前記開口部を通して前記リセス部上に形成する工程と、前記導電膜を所要パターンに形成してゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする電界効果型半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-194475
特開平4-010439
特開平4-005834

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