特許

J-GLOBAL ID：200903018731672549

ウェハー表面径方向均一プラズマを用いるウェハー処理システム

発明者： スニル ウィクラマナヤカ
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036622
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246368
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【解決手段】 プラズマは容量結合による機構に基づいて生成される。当該システムは、反応容器、高周波電極、誘電体プレート、第1と第2の高周波電流源を備える。反応容器はウェハーホルダを備えている。高周波電極はウェハーホルダの中に組み込まれ、その表面にキャパシタンスおよび/またはインダクタンス制御部を有する。この部分は高周波電極とプラズマの間のキャパシタンスおよび/または高周波電極の縁から中心に至るインダクタンスを設定する。ウェハーは誘電体プレートの上に配置される。第1高周波電流源は高周波電極に対して第1周波数で動作する高周波電流を供給する。第2電流源は高周波電極に対して第2周波数で動作する高周波電流を供給する。第1周波数で動作する高周波電流と第2周波数で動作する高周波電流によって作られる2つのプラズマは合成され、ウェハーの全領域にわたって径方向に均一なプラズマを作るように合成される。

請求項（抜粋）：

ウェハー表面の径方向に均一のプラズマでウェハーを処理するシステムであり、前記プラズマは容量的結合型機構によって生成され、接地されかつウェハーホルダとガス導入部を備え、前記ウェハーが前記ウェハーホルダの上に搭載され、プロセスガスが前記ガス導入部を通して投入される反応容器と、前記ウェハーホルダの中に組み込まれ、表面上にキャパシタンスおよび/またはインダクタンス制御部を有し、前記高周波電極と前記プラズマとの間のキャパシタンスおよび/または前記高周波電極の縁から中心までのインダクタンスを設定する高周波電極と、前記高周波電極の上面に固定され、その上に前記ウェハーが配置される誘電体プレートと、前記高周波電極に対して第1周波数で動作する高周波電流を供給する第1高周波電流源と、そして前記高周波電極に対し第2周波数で動作する高周波電流を供給する第2の電流源とを備え、前記構成において、前記第1周波数で動作する前記高周波電流と前記第2周波数で動作する前記高周波電流によって生成される両方のプラズマは前記径方向に均一なプラズマを作るように合成されることを特徴とするウェハー表面径方向均一プラズマを用いるウェハー処理システム。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

Fターム (26件)：

4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030JA18 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004BB29 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH07 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH20 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10