特許

J-GLOBAL ID：200903018732203968

多層配線構造およびその形成方法

発明者： 山本 浩 ,  竹安 伸行 ,  河野 有美子 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113424
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326094
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 上層配線金属膜の被覆性がよく、埋込プラグのEM耐性の良好な多層配線構造およびその形成方法を提供する。【構成】 Si基板11上に下地絶縁膜12が形成され、さらに下層配線金属膜13が形成される。この下層配線金属膜13は、Tiを0.15wt%の濃度に含み、Cuを0.1wt%の濃度に含むAl金属からなる。従って、下層配線金属膜13の平均結晶粒径はヴィア孔14aの孔径の1/3以下に設定される。次に、下層配線金属膜13上に層間絶縁膜14が形成され、続いてヴィア孔14aが形成される。次に、ヴィア孔14aの底面に露出する下層配線金属膜13の表面に金属膜が選択堆積され、埋込プラグ15が形成される。次に、層間絶縁膜14および埋込プラグ15上に上層配線金属膜16が形成される。

請求項（抜粋）：

下層配線金属膜と、この下層配線金属膜上に形成されヴィア孔が開口した層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成され前記ヴィア孔に埋め込まれたプラグによって前記下層配線金属膜に電気的に接触した上層配線金属膜とを備えた多層配線構造において、前記下層配線金属膜の平均結晶粒径は、前記ヴィア孔径の1/3以下に設定されていることを特徴とする多層配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 K