特許
J-GLOBAL ID：200903018732582454
フォトリソグラフィー工程における現像処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田北 嵩晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-222069
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054427
出願日： 1997年08月05日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウエハのフォトリソグラフィ工程の現像処理中、ウエハの濡れ性向上、微小気泡抑制及び染み状の残渣物発生の抑制を図る方法を提供する。【解決手段】 レジスト塗布と露光処理されたウエハ基板1を現像カップ3内に設置された回転自在のウエハチャック2上に真空吸着で保持した後、ウエハを低速回転させつつウエハチャックより上方向に設置された現像液吐出ノズル4aより吐出して、ウエハ基板1上に現像液8の液盛り(パドル形成)を行う。その際ウエハを保持しているチャック2またはカップ全体に低周波振動を加えて、ウエハに低周波の微振動を与える。次にチャック上のウエハを静止状態、または低速回転状態で所望時間の現像中も同様に低周波微振動を加えつつ現像する。現像後了後のリンス洗浄でも微振動処理しつつ吐出ノズル5よりリンス洗浄し、終了と同時に高速回転で振切り処理して、ウエハ表面の残存水分を遠心力で除去する。
請求項（抜粋）：
半導体装置のフォトリソグラフィー工程におけるTMAHを主成分とするアルカリ水溶液を用いて現像処理を施す工程にて、回転自在のウエハチャック上に真空吸着にて半導体基板を保持した後、該半導体基板より上方向に位置する現像ノズルより現像液吐出を行い、半導体基板上に現像液を形成する事で所望時間の現像処理を行った後に純水吐出にてリンス洗浄を行う工程に於いて、現像液供給タンク、該現像液供給タンクから現像液吐出ノズルに至る配管の何れか、もしくは双方の任意箇所から低周波振動、もしくはメガソニック処理を施し、且つウエハ基板上に現像液から成るパドリング形成、ならびに純水吐出によるリンス洗浄の際に低周波振動、もしくはメガソニック処理を施して現像処理が行われる事を特徴とするフォトリソグラフィー工程における現像処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/30 502
H01L 21/30 569 C
, G03F 7/30 502
, H01L 21/30 569 F
, H01L 21/30 569 E
