特許
J-GLOBAL ID：200903018738774487
有磁場プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342697
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196295
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 最も濃い密度のプラズマが発生する部分を被処理試料面より離し、かつプラズマ発生部分においては被処理試料面に対してプラズマをできるだけ均一にし、また装置は大型化することがなく、しかも、電極構成や磁界構成に対し、マージンがあり、調整が容易な有磁場プラズマ処理装置を提供する。【構成】 有磁場プラズマ処理装置において、平行に配置される対をなす磁界発生用コイル3,4と、この対をなす磁界発生用コイル3と4間に位置し、かつ磁界発生用コイル3,4と平行に配置される高周波印加電極7と、磁界発生用コイル3,4の外側に位置し、かつ高周波印加電極7と平行に配置される接地電極9,10を設け、高密度プラズマを発生する高密度プラズマ発生部1Bを具備する。
請求項（抜粋）：
(a)平行に配置される対をなす磁界発生用コイルと、(b)該対の磁界発生用コイル間に位置し、かつ該磁界発生用コイルと平行に配置される電界発生用第1電極と、(c)前記磁界発生用コイルの外側に位置し、かつ前記電界発生用第1電極と平行に配置される電界発生用第2電極を設け、(d)高密度プラズマを発生するプラズマ発生部を具備することを特徴とする有磁場プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/302
