特許

J-GLOBAL ID：200903018745901800

絶縁酸化物交換層を有する磁気抵抗効果式変換器

発明者： ヨング シェン ,  ウイリアム チャールズ ケイン ,  ホワチング トン
出願人/特許権者： リード-ライト コーポレーション
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079202
公開番号（公開出願番号）：特開平8-050710
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 MR変換器において、耐腐食性を良好にし、かつ、バルクハウゼンノイズを減少させる。【構成】 MRセンサ層に隣接する交換層を、絶縁反強磁性金属酸化物材料で形成する。材料としては、コバルト酸化物(CoO)、ニッケル酸化物(NiO)、コバルト酸化物とニッケル酸化物の多層体、コバルトニッケル酸化物(CoNiO)、α鉄酸化物(αFe2O3)、およびこれらの混合物が適している。

請求項（抜粋）：

絶縁反強磁性金属酸化物材料を含む交換層を備えて成ることを特徴とする磁気抵抗効果式読み取り変換器。