特許

J-GLOBAL ID：200903018746614456

半導体パッケージ

発明者： 井上 俊明 ,  稲葉 正俊 ,  鈴木 孝直 ,  伊藤 俊彦 ,  定方 伸行
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-313135
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124389
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 配線基板(インタポーザ)を使用しないウェハレベルCSP(ChipSize/Scale Package)等の半導体パッケージ、半導体装置にあっては、メタルポスト等の端子に形成された半田バンプの接合強度が、回路基板等に接続する際に作用する応力に対して不足すると、剥離、抵抗増大等を生じる可能があるため、これを確実に防止できる技術の開発が求められていた。【解決手段】 樹脂製突部4に導電層60を被覆形成することで、樹脂製突部4の変形性能により応力を分散、吸収できる構成のポスト7を採用し、さらに、ポスト7の側面を含めてウェハ1上を封止する封止樹脂層8にはポスト7近傍に溝10等の凹部を形成してポスト7の変形を拘束させないようにした半導体パッケージ20を提供する。

請求項（抜粋）：

電極(2)が設けられたウェハ(1)上に形成された絶縁層(3)と、この絶縁層の前記電極に整合する領域に形成された開口部(3a)を介して前記電極に接続された再配線層(6a)と、前記絶縁層上に形成され頂部(7a)に半田バンプ(11)が形成されたポスト(7、71、72)と、前記ウェハ、前記絶縁層、前記再配線層及び前記ポストの側面を封止する封止樹脂層(8)とを有し、前記ポストは、前記絶縁層上に形成された樹脂製突部(4)と、この樹脂製突部の頂部(4a)を含む領域を被覆して前記再配線層と前記半田バンプとに接続された導電層(60)とを有し、前記封止樹脂層には前記ポストの近傍に溝(10、10a〜10c)又は孔(14)である凹部が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ(20、30)。

IPC (5件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/28

FI (6件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 J ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/88 T

Fターム (33件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  4M109DA08 ,  4M109EA07 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033KK08 ,  5F033MM05 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR27 ,  5F033SS21 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13