特許
J-GLOBAL ID：200903018749804604
信号伝送方法およびCMOS論理集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296262
公開番号（公開出願番号）：特開平7-154431
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 光モジュールのようなECLインターフェイスを有するLSIとCMOS論理LSIとの間で、レベル変換回路を介さずに直接信号の送受信を行い、構成する部品数を減らし、実装密度を向上させる。【構成】 CMOS論理LSIに信号出力端子301,303の他に接地電位が印加される電源端子302,304を設け、信号出力端子と電源端子との間にスイッチMOSFETを接続する。信号出力端子に外付けされる信号伝送路の終端には、他端が電源電圧に接続されスイッチMOSFETがオンされたとき伝送信号のハイレベルを規定するための第1の抵抗と、接地電位に接続され上記スイッチMOSFETがオフされたとき上記第1抵抗との抵抗分割で伝送信号のロウレベルを規定するための第2の抵抗とを接続し、ECLレベルでの信号伝送を可能とした。また、第1、第2の抵抗の抵抗値を調整して任意の振幅の信号を伝送することを可能とした。
請求項（抜粋）：
CMOS回路で構成された半導体集積回路とECL回路で構成された半導体集積回路とを含むシステムにおいて、上記CMOS半導体集積回路には少なくとも1個の接地用電源端子を設けると共に、信号出力端子と上記接地用電源端子との間にスイッチMOSFETを接続し、上記接地用電源端子には第1の抵抗素子を介して接地電位を印加する一方、上記信号出力端子と上記ECL半導体集積回路との間に接続される伝送路の終端近傍には、他端が電源電圧に接続され上記スイッチMOSFETがオンされたとき上記第1抵抗との抵抗分割で伝送信号のロウレベルを規定するための第2の抵抗素子と、他端が接地電位に接続され上記スイッチMOSFETがオフされたとき上記第2抵抗との抵抗分割で伝送信号のハイレベルを規定するための第3の抵抗素子とを接続し、上記スイッチMOSFETのオン/オフにより信号伝送を行なうようにしたことを特徴とする信号伝送方法。
IPC (2件)：
H04L 25/02
, H03K 19/0185
