特許

J-GLOBAL ID：200903018751192519

電子放出素子

発明者： 酒井 忠司 ,  小野 富男 ,  中村 裕之 ,  棚本 哲史 ,  中本 正幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131488
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335116
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 強度が強く、均一な電子放出ができる電子放出素子を提供することを目的とする。【構成】 Si基板1にSi微細骨格4の電子放出制御ゲ-トが形成され、このSi微細骨格4の表面には陽極酸化膜6が形成されている。Si微細骨格4の間隙5にはNiよりなる導体領域7の電子放出陰極が充填されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に形成された微細骨格と、この微細骨格の間隙に充填された導体領域の電子放出陰極とを備えたことを特徴とする電子放出素子。