特許

J-GLOBAL ID：200903018756208669

半導体装置及びその製造方法

発明者： 水尾 有里
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-219334
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307627
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】電気的特性を向上させたトレンチ型素子分離構造を有する半導体装置と、その製造方法を提供する。【解決手段】p型シリコン半導体基板1に、所定角度の均一な斜面5を側壁として有する第1の溝4を形成した後、斜面5を熱酸化膜6によってマスクする。その後、第1の溝4の底面に露出したp型シリコン半導体基板1をさらに除去することで、側壁がp型シリコン半導体基板1に対して略垂直である第2の溝7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された溝と、前記溝を埋め込んだ絶縁膜とを備え、前記溝の側壁は、上部に形成された前記半導体基板の表面に対して所定角度を有する斜面と下部に形成された前記半導体基板の表面に対して略垂直な面とからなり、前記溝の底面が平坦に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/76 S ,  H01L 27/10 625 Z ,  H01L 29/78 301 R ,  H01L 29/78 621